| 研究課題/領域番号 |
26600089
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 名城大学 |
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研究代表者 |
成塚 重弥 名城大学, 理工学部, 教授 (80282680)
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| 研究分担者 |
丸山 隆浩 名城大学, 理工学部, 教授 (30282338)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2016年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2015年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2014年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 液相成長 / 窒化ガリウム / 流速支援 / 回転攪拌 / メサ加工基板 / マイクロチャンネルエピタキシー / 転位低減化 / 横方向成長 / テンプレート基板 / 縦方向成長抑制 / 回転撹拌 / 転位低減 |
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| 研究成果の概要 |
流速支援液相成長によるGaNの成長を実現するため、３Dプリンタを用いたボートの設計および試作、LPE装置の改造、成長条件の最適化をおこなった。水車を用いた機械的方式により溶液中に対流を発生し、成長速度およそ0.5um/hの面内均一性の高いGaN層の無添加大気圧成長に成功した。同時に、メサ加工基板を用いたGaNの電流制御型液相成長によるマイクロチャンネルエピタキシーをおこない、c面GaNの平坦性の優れた横方向成長に成功するとともに、隣同士の成長層を合体化することにより平坦膜を得ることに成功した。
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