| 研究課題/領域番号 |
26600090
|
|---|
| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 研究分野 |
結晶工学
|
|---|
| 研究機関 | 立命館大学 |
|---|
研究代表者 |
名西 やす之 立命館大学, 理工学部, 授業担当講師 (40268157)
|
|---|
| 研究分担者 |
荒木 努 立命館大学, 理工学部, 教授 (20312126)
|
|---|
| 連携研究者 |
須田 淳 京都大学, 大学院工学研究科, 准教授 (00293887)
赤坂 哲也 日本電信電話株式会社, NTT物性科学基礎研究所・機能物質科学研究部, 主任研究員 (90393735)
山口 智広 工学院大学, 先進工学部, 准教授 (50454517)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2016年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2015年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2014年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
|
|---|
| キーワード | InN / InGaN / 窒化物半導体 / 混晶組成 / 極微領域評価 / MBE / 転位 / リーク電流 / 不活性化 |
|---|
| 研究成果の概要 |
InGaNは青色発光ダイオードの活性層として利用されているが、In組成を増やし緑、赤、さらに赤外領域の発光、受光デバイスに利用しようとすると、転位などの影響が顕著となり、特性が著しく劣化する。 本研究では、研究代表者が中心になって独自に開発した高品質InN結晶成長技術(DERI法)を利用して、InGaNの非混和性を積極的に利用し、転位近傍にバンドギャップの広い極微ナノ構造を作成し、転位の影響を抑制して、InNおよび全混晶組成のInGaNをデバイスとして利用するための検討を行った。コンダクティブAFMを用いてナノ領域のリーク電流を測定する手法により、リーク電流の抑制を確認する成果を得た。
|
