| 研究課題/領域番号 |
26600092
|
|---|
| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
|
|---|
| 研究機関 | 東京大学 |
|---|
研究代表者 |
関 宗俊 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (40432439)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
|
| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2015年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2014年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
|
|---|
| キーワード | 酸化鉄 / パルスレーザー堆積法 / 強磁性半導体 / 酸化物スピントロニクス / フェリ磁性酸化物 / 酸化鉄半導体 |
|---|
| 研究成果の概要 |
スピン整流素子の実現に向けて、パルスレーザー堆積法を用いて高スピン偏極率を有する酸化鉄薄膜の作製を行った。まず、２段階レーザーアブレーション法により、酸化鉄n型半導体であるSi置換Fe2O3薄膜を作製した。この試料は室温で強磁性的挙動を示し、室温でのスピン偏極率31%が得られた。また、p型透明半導体Si置換FeOの単結晶薄膜の作製にも成功した。この薄膜は反強磁性体であるが、Fe3O4/Si:FeOの二重構造において、Fe3O4からSi:FeOへ室温でスピン注入が可能であることが分かった。
|
