| 研究課題/領域番号 |
26600100
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 名古屋工業大学 |
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研究代表者 |
横田 壮司 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (10402645)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2015年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2014年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
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| キーワード | 電気磁気効果 / スピンゼーベック効果 / トンネル効果 / 薄膜結晶成長 / ゼーベックスピントンネル / エピタキシャル成長 / マグネトロンスパッタリング / スピントロニクス / マルチフェロイック |
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| 研究成果の概要 |
電界（磁界）によって磁界（電界）を誘起することが出来る電気磁気効果を薄膜結晶成長技術によって増幅させたCr2O3 /Cr2O3±x/LiNbO3/Cr2O3±x/Cr2O3積層膜(CR-LN)をゼーベックスピントンネル(SST)効果を用いてそのME特性を制御することを本研究の目的として、以下の項目を明らかにした。１）CR-LN膜において熱を用いた発電現象の確認２）印加磁場に対して熱誘起起電力の減少の確認３）トンネル材料の変更により発電量の減少の確認、以上の３つの結果から、CR-LNにおける熱による電圧の発生は、トンネル効果、スピン、強誘電体の分極により生じていると結論付けた。
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