| 研究課題/領域番号 |
26600104
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 上智大学 |
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研究代表者 |
坂間 弘 上智大学, 理工学部, 教授 (10242017)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
2016年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2015年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2014年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | 原子層堆積 / 強磁性 / 強誘電性 / 紫外光 / ペロフスカイト / 超格子 / 強誘電体 / ＡＬＤ / ぺロフスカイト / 低温成長 / 紫外光アシストALD法 / 強磁性強誘電体 / 原子層堆積法 / 人工超格子 |
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| 研究成果の概要 |
室温以上で安定な強磁性強誘電体を実現するために、ビスマス系ペロフスカイト酸化物による人工超格子の創製を目指している。達成できている超格子が極めて薄いことと理論的に予測される磁化よりもはるかに小さい磁化しか生じていないという現状の問題点を解決するために、紫外線でアシストした原子層堆積（ALD）法を開発した。それによって、成長温度の大幅な低減が実現でき、室温における磁化を増大させることに成功した。本研究で開発した方法は、他の物質系においても有用である。
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