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Ge-Siへテロ接合による遠赤外線アレイ検出器の均質・広帯域化への挑戦

研究課題

研究課題/領域番号 26610046
研究種目

挑戦的萌芽研究

配分区分基金
研究分野 天文学
研究機関名古屋大学

研究代表者

金田 英宏  名古屋大学, 理学(系)研究科(研究院), 教授 (30301724)

連携研究者 大藪 進喜  名古屋大学, 理学研究科, 助教 (10396806)
研究協力者 服部 和生  
木幡 洸大  
花岡 美咲  
研究期間 (年度) 2014-04-01 – 2016-03-31
研究課題ステータス 完了 (2015年度)
配分額 *注記
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2015年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2014年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
キーワード遠赤外線検出器 / Ge検出器 / 遠赤外線 / 半導体検出器
研究成果の概要

Ge-Siヘテロ接合を用いて、従来の遠赤外線Ge検出器よりも長波長側まで感度を持つ検出器を開発した。GeとSiの熱膨張係数の違いによって、カットオフ波長が110ミクロンよりも有意に長くなることを実証するために、接合素子を試作し、低温試験を行うためのセットアップを構築した。遠赤外線フーリエ分光器を用いて、外部から赤外線を導入して波長感度を調べたが、データのS/Nが悪く、確定的な結果は得られなかった。その原因を探るべく、さまざまな電極を用いて試験素子を製作した。また、近赤外線LED照射によって感度が変化することを利用して、SiとGeの界面の状態を調査した。

報告書

(3件)
  • 2015 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2014 実施状況報告書
  • 研究成果

    (4件)

すべて 2016 2015 2014

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件、 謝辞記載あり 1件) 学会発表 (3件) (うち国際学会 1件)

  • [雑誌論文] Development of Blocked-Impurity-Band-Type Ge Detectors Fabricated with the Surface-Activated Wafer Bonding Method for Far-Infrared Astronomy2016

    • 著者名/発表者名
      Hanaoka, M.; Kaneda, H.; Oyabu, S.; Yamagishi, M.; Hattori, Y.; Ukai, S.; Shichi, K.; Wada, T.; Suzuki, T.; Watanabe, K.; Nagase, K.; Baba, S.; Kochi, C.
    • 雑誌名

      Journal of Low Temperature Physics

      巻: online first 号: 1-2 ページ: 1-6

    • DOI

      10.1007/s10909-016-1484-1

    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [学会発表] Development of Blocked-Impurity-Band-type Ge detectors fabricated with the surface-activated wafer bonding method for far-infrared astronomy2015

    • 著者名/発表者名
      花岡美咲
    • 学会等名
      16th international workshop Low Temperature Detectors
    • 発表場所
      Grenoble, France
    • 年月日
      2015-07-18
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 宇宙観測用接合型Ge遠赤外線検出器のアレイ化に向けた物理パラメータの決定2015

    • 著者名/発表者名
      花岡美咲, 金田英宏, 大薮進喜, 服部和生, 田中琴未, 鵜飼壮太, 和田武彦, 鈴木仁研, 渡辺健太郎, 長勢晃一, 公地千尋、馬場俊介
    • 学会等名
      日本天文学会春季年会
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      2015-03-18 – 2015-03-21
    • 関連する報告書
      2014 実施状況報告書
  • [学会発表] Evaluation of far-infrared BIB-type Ge detectors fabricated with the surface-activated wafer bonding technology2014

    • 著者名/発表者名
      (Ga濃度:1x1016, 4x1016, 8x1016 cm-3)Hanaoka, M., Kaneda, H., Oyabu, S., Hattori, Y., Tanaka, K., Wada, T., Suzuki, T., Watanabe, K., Nagase, K., Baba, S., & Kochi, C.
    • 学会等名
      THE UNIVERSE IN THE LIGHT OF AKARI and Synergy with future Large Space Telescopes
    • 発表場所
      Oxford大学, UK
    • 年月日
      2014-07-09 – 2014-07-11
    • 関連する報告書
      2014 実施状況報告書

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公開日: 2014-04-04   更新日: 2017-05-10  

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