| 研究課題/領域番号 |
26610107
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
内橋 隆 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, MANA研究者 (90354331)
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| 連携研究者 |
吉澤 俊介 物質・材料研究機構, 若手国際研究センター, ICYS研究員 (60583276)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2015年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2014年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | 超伝導 / 二次元 / 原子層 / 電気伝導 / 走査トンネル顕微鏡 / 超高真空環境 / 超伝導材料･素子 / 表面･界面 / 物性実験 / 表面・界面物性 |
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| 研究成果の概要 |
SrTiO3基板上に成長したFeSe単原子層超薄膜の超高真空環境における電気伝導測定を行った。現在のところ超伝導転移は観測されていない。これはFeSe超薄膜の成長条件またはSe保護膜除去の条件が悪く、連続した超薄膜を得ることができなかったためだと考えられる。一方、表面原子層超伝導体の研究の一環としてTc ~ 3 Kを有する Si(111)-(root7xroot3)-In表面超構造のSTM測定を行った。STM像では強いバイアス依存性と[1 -1 0]方向の長周期変調構造が観察され、Park-Kangによるインジウム原子２層モデルが正確ではないことを示唆している。
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