| 研究課題/領域番号 |
26630120
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 筑波大学 |
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研究代表者 |
末益 崇 筑波大学, 数理物質系, 教授 (40282339)
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| 連携研究者 |
舟窪 浩 東京工業大学, 総合理工学研究科, 教授 (90219080)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2015年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2014年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | 熱電材料 / 不純物ドーピング / シリサイド / ゼーベック係数 / 熱電特性 / BaSi2 |
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| 研究成果の概要 |
Bドープp-BaSi2膜をスパッタ法で石英基板上に基板温度470℃で堆積した。B濃度が1cc当たり10の21乗のとき、室温で抵抗率は0.005Ωcmまで下がった。しかし、熱電応用のためには、抵抗率をさらに下げる必要があると考え、基板温度をさらに昇温できるよう別のスパッタ装置に移行した。しかし、BaSi2ターゲットと基板間の距離が7cmから20cmへと大きくなったことで、スパッタ膜のSi/Ba比がストイキオメトリーからズレた。この現象はArに対するBaとSiの質量差に起因する散乱の影響で説明できた。Ar圧力を3.0Paと高めに設定することで、600度でBaSi2膜の形成に成功した。
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