| 研究課題/領域番号 |
26630121
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
長汐 晃輔 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (20373441)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2015年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2014年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | グラフェン / ホットエレクトロントランジスタ / ALD / バッファー層 / ホットエレクトロン / Y2O3 |
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| 研究成果の概要 |
グラフェンの原子層厚さという特徴を最大限生かすことのできる原子層ベースホットエレクトロントランジスタの作製と実証を試みた．高信頼性絶縁膜形成として，メタルバッファー層のアルゴン雰囲気下での低レート堆積後，バッファー層上への原子層堆積法によるY2O3堆積を確立した．作成した原子層ベースホットエレクトロントランジスタでは，Ion/Ioffが２桁程度取れており，先行研究と比較して高い電流利得を得ることに成功した．
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