| 研究課題/領域番号 |
26630126
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 金沢大学 |
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研究代表者 |
森本 章治 金沢大学, 電子情報学系, 教授 (60143880)
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| 研究分担者 |
川江 健 金沢大学, 理工研究域, 准教授 (30401897)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2015年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2014年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 強誘電体 / 不揮発メモリ / 抵抗変化型メモリ / 希土類添加ビスマス鉄酸化物 / 書き込み / 読み出し / 保持特性 / 疲労特性 / 抵抗変化型 / 酸化物電極 |
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| 研究成果の概要 |
NdをドープしたBiFeO3(BNF)強誘電体を用いた抵抗変化メモリ素子（Fe-ReRAM）の作製と評価を行った。
リーク電流に影響されない特殊なパルス測定法（PUND）法を用いて強誘電特性を評価した結果、作製した試料の抵抗変化は主に強誘電体の自発分極に基づくことを確認した。作製した試料は30μsの書き込み時間でも約1000のON/OFF比を達成しており、書き込み時間のさらなる高速化が期待できる。保持特性及び疲労特性の結果より1万秒の保持時間、10万回の疲労サイクルにおいてON/OFF比が維持されていることを確認した。
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