| 研究課題/領域番号 |
26630132
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 徳島大学 |
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研究代表者 |
富田 卓朗 徳島大学, ソシオテクノサイエンス研究部, 准教授 (90359547)
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| 研究分担者 |
岡田 達也 徳島大学, 大学院ソシオテクノサイエンス研究部, 教授 (20281165)
山口 誠 秋田大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (90329863)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2015年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2014年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | レーザーアニール / モニタリング / SiC / 金属電極 / 合金化 |
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| 研究成果の概要 |
半導体と金属電極の合金化にはこれまで熱アニールが一般的に利用されてきており、ワイドバンドギャップ半導体にも同様のプロセスの適用が検討されている。しかし、ワイドギャップ半導体特有の強い結合のため、非常に高温の熱アニールが必要となり、その高温環境ゆえ、デバイスプロセスの制限等の様々な弊害を生じている。
そこで、本研究ではレーザー光照射を用いて金属とワイドバンドギャップ界面のアニールを行うことを目指した。具体的には、フェムト秒レーザー照射と、その後の比較的低温な熱アニールによって界面における原子移動が起きることを明らかにした。さらに、連続波レーザー照射によっても同様の現象を確認することができた。
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