| 研究課題/領域番号 |
26630136
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 早稲田大学 |
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研究代表者 |
川原田 洋 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (90161380)
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| 研究分担者 |
稲葉 優文 早稲田大学, 電子物理システム学科, 助手 (20732407)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2015年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2014年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | カーボンナノチューブ / シリコンカーバイド |
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| 研究成果の概要 |
ジグザグ型にカイラリティのそろった、炭化ケイ素（SiC）基板上に成長させたカーボンナノチューブ（CNT）フォレストを基板として用いて、そのカイラリティを引き継ぐCNTフォレストを、CVDの手法を応用して無触媒で成長させた。その研究内容として、①酸化亜鉛とカーボンをSiC基板上に堆積し、この2層マスクが1600℃の高温でマスクの機能を果たし、選択成長を実現した。②高温過酸化水素水処理により曲率の大きいCNTのキャップ部分を選択的に除去することに成功した。③メタン・水素系ガス雰囲気において、900℃以上でCNTの再成長を確認した。今後、CNTフォレストのSiCオーミック電極応用などが期待される。
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