研究成果の概要 |
本研究では, 二次元原子膜材料のデバイス応用に向けて, デバイス化に適した基板の開発と, その基板を用いたナノデバイスの作製を試みた。基板材料として, 酸化イットリウム/グラファイト基板を採用し, 構造を作製, その上にグラフェンを転写し, デバイスを作製した。ホールバー素子の電子輸送特性の評価から, 単層グラフェン特有の量子ホール効果の観測, そしてシリコン酸化膜基板上と同等の移動度と, グラファイトをゲート電極とした高いキャリア密度変調を実現した。これは酸化イットリウム/グラファイト構造が原子膜デバイスの基板として有用であることを示すものである。
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