| 研究課題/領域番号 |
26630148
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
平本 俊郎 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (20192718)
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| 連携研究者 |
更屋 拓哉 東京大学, 生産技術研究所, 助手 (90334367)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2014年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
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| キーワード | 特性ばらつき / MOSFET / シリコンナノワイヤトランジスタ / 離散不純物ゆらぎ / 単一不純物 / VLSI / 半導体物性 / MOSトランジスタ / 大規模集積回路 / ナノワイヤトランジスタ / 統計分布 |
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| 研究成果の概要 |
本研究の目的は，極微細イントリンジックトランジスタにおける特性ばらつきの統計的分布を実測し，微細トランジスタにおける単一不純物の効果を明らかにすることである．ナノワイヤ幅が2nmから7nmの多数のシリコンナノワイヤトランジスタを作製し，その特性ばらつきを実測した結果，ナノワイヤ幅が7nm程度のトランジスタでは特性ばらつきがほぼ正規分布を示すのに対し，ナノワイヤ幅2nmのトランジスタでは，分布が正規分布から外れ高しきい値領域に裾野をひくことを明らかにした．この現象は，単一不純物の影響およびナノワイヤ幅揺らぎによる量子効果の影響によるものと考えられる．
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