| 研究課題/領域番号 |
26630291
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
金属物性・材料
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
喜多 浩之 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (00343145)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2015年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2014年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 界面磁気異方性 / 強磁性体 / 電界効果 / 不揮発性メモリ / 化学状態 / 不揮発メモリ / 酸素欠損 |
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| 研究成果の概要 |
電圧印加による金属強磁性体CoFeB薄膜と絶縁膜の界面に生じる界面磁気異方性エネルギー（Kint)の変調効果を大きくするための絶縁膜材料探索を行った。まず厚さ数オングストロームの金属層をCoFeBと各種の酸化物の間に挿入し，酸素欠損となる酸化物で界面を形成させたところ，当初期待したような不揮発的なKintの変化は認められないものの，電圧によるKintの変化幅が約2倍に増大した。また，酸化物に代えてフッ化物を界面に導入したところ，Kintの増大とその電圧応答性の向上が見られ,界面における絶縁膜の化学状態や組成の制御の重要性が明らかとなった。
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