パルスレーザー堆積法によるZrCuSiAs型化合物エピタキシャル薄膜の超伝導発現

研究課題

研究課題/領域番号	26630305
研究種目	挑戦的萌芽研究
配分区分	基金
研究分野	無機材料・物性
研究機関	東京工業大学
研究代表者	平松秀典東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 准教授 (80598136)
研究期間 (年度)	2014-04-01 – 2016-03-31
研究課題ステータス	完了 (2015年度)
配分額 *注記	3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円) 2015年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円) 2014年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
キーワード	鉄系超伝導体 / パルスレーザー堆積法 / エピタキシャル成長
研究成果の概要	本研究課題では、まず、主成分であるKの高い蒸気圧に起因して合成が非常に困難なKFe2As2薄膜成長に有効なex-situ法の開発を通じて、in-situパルスレーザー堆積法によるZrCuSiAs型化合物合成のヒントを得ることを試みた。そして、新しいex-situ手法を開発することでエピタキシャル薄膜の作製に成功した。この知見から、ZrCuSiAs型化合物であるSmFeAsOのin-situでの薄膜成長条件を探索し、パルスレーザー堆積法におけるin-situ成長条件を詳細に最適化することによって高蒸気圧F成分のドープに成功し、目標であった超伝導転移を示すSmFeAsO薄膜を得ることができた。

報告書

(3件)