| 研究課題/領域番号 |
26630306
|
|---|
| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 研究分野 |
無機材料・物性
|
|---|
| 研究機関 | 東京工業大学 |
|---|
研究代表者 |
吉本 護 東京工業大学, 物質理工学院, 教授 (20174998)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
|
| 配分額 *注記 |
3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2015年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2014年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
|
|---|
| キーワード | Ga2O3 / ワイドギャップ半導体 / レーザーアニール / エピタキシャル成長 / 低温結晶成長 / 酸化物薄膜 / 固相結晶化 / パルスレーザー堆積 / 低温成長 / セラミックス薄膜 / エピタキシャル薄膜 / 室温合成 / セラミックス / 酸化ガリウム / 薄膜成長 / 単結晶性薄膜 |
|---|
| 研究成果の概要 |
「室温でのGa2O3単結晶性薄膜の作製と新規なワイドギャップ酸化物半導体の創製」と題した本研究では、バンドギャップがGaNよりも大きくダイヤモンド並みの約5eVを有し、紫外発光や紫外太陽電池・大電流パワー素子として有望視されるGa2O3薄膜を対象として、原子レベルで超平坦な原子ステップサファイア単結晶基板上にNiO薄膜緩衝層を付けてから、非晶質Ga2O3薄膜を堆積後に、紫外パルスレーザーアニールを施し、室温でβ-Ga2O3エピタキシャル（単結晶性）薄膜を固相結晶成長させることに成功した。得られた原子レベルで平坦表面を持つGa2O3薄膜の電気特性、および発光吸収特性を系統的に評価した。
|
