| 研究課題/領域番号 |
26790007
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
ナノ構造物理
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
エルボーグ マーティン 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 若手国際研究センター, ICYS研究員 (60724630)
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| 研究協力者 |
野田 武司
間野 高明
佐久間 芳樹
Bollmann Joachim
Venter Andre
Venter Danielle
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2015年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
2014年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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| キーワード | 太陽電池 / 量子構造 / MBE, エピタキシャル / GaNAs / 中間バンド太陽電池 / 2段階光子吸収 / 開路電圧 / MBE / エピタキシャル / MBE、エピタキシャル |
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| 研究成果の概要 |
高効率の可能性が期待されている中間バンド型太陽電池（IBSC）を対象に、窒素ドープGaAs量子井戸について材料およびデバイスの観点から研究を進めた。光学計測から窒素組成と局在準位との相関を明らかにするとともに、キャパシタンス分光によってこの窒素由来のエネルギー準位の評価を行った。結晶成長では窒素組成を制御し理論モデルに近いエネルギー配置のGaNAs/AlGaAs量子井戸の作製を行うとともに、窒素とアンチモンの同時ドーピング法による光学特性の改善を実現した。窒素量を増やすと実効バンドギャップは縮小するが素子の開放電圧は増大する興味深い知見を得た。この結果はIBSCの研究を進める大きな成果である。
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