| 研究課題/領域番号 |
26790020
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
ナノ材料工学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 |
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研究代表者 |
佐々木 拓生 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門 量子ビーム応用研究センター, 研究員 (90586190)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2015年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2014年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 分子線エピタキシー / ナノワイヤ / 放射光X線回折 / その場測定 / インジウムガリウム砒素 / 放射光X線 / III-V族半導体 / X線回折 / コアシェル |
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| 研究成果の概要 |
その場放射光X線回折により、Au触媒InGaAsナノワイヤ（NW）成長におけるIn/Ga供給比の影響を検討した。その結果、In/Ga供給比が大きいほど、NWが下地の二次元層に埋没してしまうことがわかった。この問題を克服するため、成長温度を低くすることで、NWの成長を促進させ、二次元層への埋没を抑制することに成功した。InGaAs-NWのIn組成を調べたところ、In/Gaの供給比よりもIn組成は低くなることがわかった。この原因として、InはGaよりも結晶に取り込まれにくく、Au触媒中に残留しやすい可能性が示唆された。
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