| 研究課題/領域番号 |
26790022
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
ナノ材料工学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
熊谷 和博 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 物質計測標準研究部門, 研究員 (20582042)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2015年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2014年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 走査電子顕微鏡法 / 低エネルギー損失電子 / 像形成 / SEM / 電子分光 / 像コントラスト形成 / 後方散乱電子 |
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| 研究成果の概要 |
走査電子顕微鏡法(SEM)では低エネルギー損失電子(LLE)を選択的に検出することで，表面・組成敏感な顕微鏡像が得られることが報告されいるが，その像形成メカニズム解明が課題となっている．本研究ではSi基板上のチタニアナノ薄膜を例とし，そのLLE像の像形成を調査した．検出エネルギー条件を変化させながら取得したSEM反射電子像と電子分光装置により得られた放出電子スペクトルを比較することで，LLE像における薄膜の像形成を議論した．その結果，特にプラズモンロスピーク付近のエネルギー領域の電子を選択的に捕集することでナノ薄膜の情報を強調したSEM-LLE像を得られることが明らかとなった．
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