| 研究課題/領域番号 |
26790039
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
加来 滋 東京工業大学, 理学院, 助教 (80583137)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2015年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円)
2014年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
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| キーワード | スピントロニクス / 表面 / ナノ / 走査プローブ顕微鏡 / 磁性半導体 / スピン / 超高真空 / 希薄磁性半導体 / スピンエレクトロニクス |
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| 研究成果の概要 |
GaMnAsは半導体GaAsに少量の磁性元素Mnが添加され、半導体と磁性体の性質を併せ持つ物質である。GaMnAsが強磁性となるメカニズムは必ずしも解明されていない。我々は、原子分解能を持つSTMとそれを応用した弾道電子顕微鏡とスピンSTMを用いて、強磁性発現の起源と関係するスピン偏極電子構造の測定を目的とした。弾道電子顕微鏡実験用の試料作成には困難があったが、スピンSTMの一連の実験は実施できた。磁化反転前後の電子状態を磁性探針で測定することで、スピン偏極した電子状態を示唆する初期的なデータの取得に成功した。実験的な改良点も見出すことができ、今後より明瞭な実験から解明を目指せると期待される。
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