| 研究課題/領域番号 |
26790041
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
大西 紘平 九州大学, 理学(系)研究科(研究院), 助教 (30722293)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2015年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2014年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | スピントロニクス / 超伝導体 / ナノピラー構造 / 交差アンドレーエフ反射 |
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| 研究成果の概要 |
発熱を最小限として高効率なスピン偏極電流が生成可能な試料構造により、超伝導体／非磁性常伝導体二層膜中において、交差アンドレーエフ反射と呼ばれる現象を誘起・制御することを試みた。その結果、超伝導体／非磁性常伝導体界面（S/N界面）において、スピン偏極電流の偏極成分のみ透過できないことがわかった。また、非磁性常伝導体層中において、超伝導状態とスピン偏極状態が共存できることが示された。さらに、スピン偏極電流を用いることで、S/N界面で超伝導ギャップの形成過程の観測に成功した。これらは、交差アンドレーエフ反射測定に代表される超伝導体複合ナノ構造での測定において新しい検出方法を提案可能とするものである。
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