| 研究課題/領域番号 |
26790044
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 豊橋技術科学大学 |
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研究代表者 |
山根 啓輔 豊橋技術科学大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (80610815)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2016年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2015年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2014年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | ＧａＮ基板 / 結晶欠陥 / 非極性面 / 反り / GaN基板 / 結晶欠陥抑制 / ハイドライド気相成長 / 転位 |
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| 研究成果の概要 |
高効率白色ＬＥＤの基板材料として、高品質GaNウエハの開発を行った。系統的に様々な面方位のGaN基板の作製を行い、{20-2-1}面において成長速度が速く（原料利用効率が高く）、低い転位密度が得られることを見出した。さらに、基板の反りの現象に関して、そのメカニズムを実験および理論の両側面から解明し、回避策を示した。得られた結果に基づき、反りを回避するための成長手法も開発した。また、欠陥密度の低減という課題については、成長初期にピラミッド状に成長させるファセット成長と表面を平坦化させる埋め込み成長とを繰り返すことで最終的に転位密度10E5cm-2台のGaN基板の作製手法を開発した。
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