| 研究課題/領域番号 |
26790051
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 工学院大学 |
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研究代表者 |
相川 慎也 工学院大学, 総合研究所, 助教 (40637899)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2015年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2014年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | 薄膜トランジスタ / 酸化物半導体 / 表面・界面物性 / 半導体物性 / ディスプレイ応用 / 電子デバイス / ディスプレイ |
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| 研究成果の概要 |
アモルファス酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ（TFT）は，適切な温度で適切な時間，空気中で熱処理を行うことで優れた特性を示すことが知られている．一方で，TFT特性に及ぼす熱処理効果の理解は不十分であった．本研究では，アニール時間依存の薄膜抵抗測定により，熱処理下では，短時間領域で支配的な過剰酸素の脱離と，長時間で生ずる酸化の2つのステージがあることを見出すとともに，過剰酸素は加熱しなくとも真空保管にて容易に脱離することを明らかにした．これらの知見から，低酸素分圧条件下でも膜内にしっかりと酸素結合を形成できるIn-Si-O（SiO2: 10 wt.%）が，TFT材料として優れると結論づけた．
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