| 研究課題/領域番号 |
26790063
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
光工学・光量子科学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
牧野 孝太郎 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 産総研特別研究員 (30727764)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2015年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2014年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | テラヘルツ波 / トポロジカル絶縁体 / 相変化材料 / テラヘルツ/赤外材料・素子 |
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| 研究成果の概要 |
トポロジカル絶縁体として機能すると期待される超格子型Ge-Sb-Te相変化材料を用いたテラヘルツ波の検出デバイスの研究開発を行った。テラヘルツ時間領域分光法により超格子型Ge-Sb-Te相変化材料がテラヘルツ波を吸収することが明らかとなった。この材料を用いてフォトコンダクタ型の光検出デバイスを作製した。テラヘルツ波の照射によって電気抵抗が変化し、それが比較的遅いタイムスケールで緩和するダイナミクスが観測された。
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