| 研究課題/領域番号 |
26800168
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (2015)
京都大学 (2014) |
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研究代表者 |
太野垣 健 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 太陽光発電研究センター, 主任研究員 (80422327)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2015年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2014年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 光物性 / 量子ドット / 半導体物性 |
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| 研究成果の概要 |
高エネルギー光の照射による１光子吸収により多数の電荷キャリアが半導体中に生成される多キャリア生成過程は、太陽電池などの光電変換機能の高性能化に寄与すると期待される。半導体量子ドットにおいては、多キャリア生成が高効率に現れると指摘されていたが、そのメカニズムは十分に理解されていない。本研究では、多キャリア生成のメカニズム解明のために、可視光によっても高エネルギー光照射できる低バンドギャップエネルギーのゲルマニウム量子ドットに着目した。多キャリア生成過程の検出には、外因的効果による過大評価を避けるために、発光強度および光電流測定による絶対キャリア数評価の開発を行った。
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