| 研究課題/領域番号 |
26810028
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
無機化学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
影澤 幸一 東北大学, 理学(系)研究科(研究院), 助教 (50709102)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2015年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2014年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | 分子磁性体 / 単分子磁石 / 単一次元鎖磁石 / ナノ磁性体 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、マンガンサレン錯体とジカルボン酸を用いて、SCMを部分構造に有する二次元集積体C4及びC4'を合成した。交流磁化率測定から、錯体C4とC4’はともに一次元の磁気相関に起因する遅い磁化緩和を示すが、錯体C4’の磁化緩和は、ブタジエニルリンカーの非共役系を通した鎖間相互作用の影響で磁気相転移を示し、これが磁化緩和時間に直接影響を与えることがわかった。上述の様に、本研究において、バルク磁性とナノ磁性の融合を実現し、さらにバルク磁性がナノ磁性に与える影響を直接観測することに成功した。
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