| 研究課題/領域番号 |
26810130
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
デバイス関連化学
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| 研究機関 | 工学院大学 |
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研究代表者 |
永井 裕己 工学院大学, 先進工学部, 助教 (20559942)
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| 連携研究者 |
渡邊 康之 諏訪東京理科大学, 工学部, 教授 (10339129)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2016年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2015年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2014年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
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| キーワード | 分子プレカーサー法 / 薄膜 / トランジスタ / p型半導体 / 金属酸化物 / 薄膜トランジスタ / 溶液 / p型 / TFT / 分子プレカーサー / 酸化銅 / 基板 / シリコン基板 / 銅 |
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| 研究成果の概要 |
酸化銅プレカーサー溶液を用いて，ケイ素/二酸化ケイ素基板上に薄膜形成し，その薄膜のトランジスタ特性を調べた。調製した溶液を基板に滴下し，スピンコート法で塗布，乾燥後にAr気流中で熱処理して，酸化銅薄膜を形成した。昇温速度，熱処理時間などの熱処理条件を種々検討し，約30 nmの膜厚の酸化銅薄膜を形成した。トランジスタ特性を半導体パラメータアナライザで調べた。形成した膜は，ゲートバイアスが-10 Vのときに高いオン/オフ電流比（ON/OFF比）がとれ，トランジスタとして動作した。このように，化学的湿式法でp型TFTの形成を達成した。実用化に向けては，さらに高いオン/オフ電流比が必要である。
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