研究課題/領域番号 |
26820110
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研究種目 |
若手研究(B)
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配分区分 | 基金 |
研究分野 |
電子・電気材料工学
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研究機関 | 東京工業大学 |
研究代表者 |
岩崎 孝之 東京工業大学, 工学院, 助教 (80454031)
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研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2016年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2015年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2014年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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キーワード | ダイヤモンド / ヘテロエピタキシャル成長 / 核形成法 / 核形成モニタリング |
研究成果の概要 |
本研究は大面積ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル基板の作製を目的とし、異種基板への核形成および配向ダイヤの選択技術の開発を行った。分子を利用した核形成およびバイアスによる核形成を実施した。ダイヤモンド-下地界面の不純物が非配向核の原因であることを明らかにし、高プラズマパワー密度による多量の原子状水素が不純物形成を抑制することで、(100)ダイヤモンドの配向性を向上できることを見出した。また、(111)面方位においては、短時間バイアス処理および酸素添加による高精度界面制御を組み合わせることで配向ダイヤモンドの形成を可能とした。(100)および(111)両方位において高配向ダイヤ薄膜を合成した。
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