| 研究課題/領域番号 |
26820115
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 兵庫県立大学 |
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研究代表者 |
中嶋 誠二 兵庫県立大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (80552702)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2015年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2014年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | 強誘電体 / 薄膜 / ドメイン壁 / 選択形成 / 強誘電体薄膜 / エピタキシャル成長 |
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| 研究成果の概要 |
強誘電体において分極方向が一方向に揃っている領域をドメイン、ドメイン同士の境界をドメイン壁（DW）と呼ぶ。近年、このDWでは導電性の変調や光起電力効果といった特異な物性を呈することが報告され注目されている。このようなデバイスを作製する際にはDWを強誘電体薄膜中の任意の位置に導入する技術が必要となる。本研究において我々は、菱面体晶系強誘電体であるBiFeO3薄膜の結晶成長方向が基板の有するステップ端で制限されることに着目し、基板表面に形成したパターンによりDWの形成制御が可能であることを見出した。
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