| 研究課題/領域番号 |
26820116
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 兵庫県立大学 |
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研究代表者 |
堀田 育志 兵庫県立大学, 工学研究科, 准教授 (30418652)
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| 研究協力者 |
谷脇 将太 兵庫県立大学, 工学研究科
吉田 晴彦 兵庫県立大学, 工学研究科, 准教授
新船 幸二 兵庫県立大学, 工学研究科, 准教授
佐藤 真一 兵庫県立大学, 工学研究科, 特任教授
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2016年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2015年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2014年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | Srシリケイト / シリコン / 固定電荷 / 電界効果パッシベーション / 太陽電池 / ストロンチウムシリケイト / 固定電荷密度 / ストロンチウム / シリケイト / 化学結合状態 / 実効固定電荷密度 / シリコン太陽電池 / 表面パッシベーション |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、シリコン基板上に成長させたストロンチウムシリケート（SrxSiOx+2、x = 1,2,3）膜の結晶シリコン太陽電池用電界効果パッシベーション膜としての性能を実効電荷密度(Qeff)の観点から調査した。 酸素雰囲気中で400℃でアニールしたSr2SiO4膜ではQeff値が単位面積当たり1.03×10の13乗に達し、電荷効果パッシベーション膜として十分な電荷量となった。アニール温度上昇により界面特性及び電荷特性は低下すること、及び、電荷がSrシリケイト/Si基板界面近傍に集中することからアニオンとカチオンの移動による電気双極子の発生が固定電荷の起源になっていることがわかった。
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