研究課題/領域番号 |
26820118
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研究種目 |
若手研究(B)
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配分区分 | 基金 |
研究分野 |
電子・電気材料工学
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研究機関 | 長野工業高等専門学校 |
研究代表者 |
百瀬 成空 長野工業高等専門学校, その他部局等, 講師 (00413774)
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研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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配分額 *注記 |
3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2015年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2014年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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キーワード | 薄膜太陽電池 / 化合物半導体 / 薄膜の作製と評価 / 硫化物 / シリサイド / 裏面電極層 / 硫化防止 |
研究成果の概要 |
本課題では,硫化物半導体薄膜太陽電池の裏面電極であるMo薄膜への,硫化中における硫黄の浸食を防止すべく,Mo層の表面にキャッピング層を堆積する新しい電極構造の開発に挑んだ。Mo薄膜の表面に20nm程度のMoSi2薄膜をスパッタ堆積し,800℃,6時間の加熱処理を施すことで,良好な導電性をもち,かつ硫黄の浸食を防ぐキャップ層となることがわかった。良好な伝導度と硫化防止効果を得るにはMoSi2膜を700℃より高い温度で熱処理する必要があることが確認された。MoSi2キャップ層を挿入したCZTS膜からSnS2結晶が生成されていることから,選択的な硫化の実現が可能であることが示唆された。
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