| 研究課題/領域番号 |
26820120
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
陳 君 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, MANA研究員 (90537739)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2015年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2014年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | SrTiO3 / Resistive switching / Dislocation / EBIC / TEM / Nb doping / Dislocations |
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| 研究成果の概要 |
電子材料の開発では、新規材料の導入で、従来素子の高性能化や新たな動作特性の探求がなされている。抵抗変化型メモリの材料として、チタン酸ストロンチウム（STO）が注目され。STOは、シリコンに比べて欠陥が多く、期待していた物性値が得られていないのが現状である。一方で、結晶欠陥が機能に大きく関与しているという報告がある。本研究では、STO中の拡張欠陥が、どのように電気的性質に関与しているかを研究する。電子線誘起電流（EBIC）法によって試料内の転位密度と電気特性を調べ、メモリ作用との関連を明らかにする。更に、電子顕微鏡観察によって転位の性格を決定する。
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