| 研究課題/領域番号 |
26820124
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 群馬大学 |
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研究代表者 |
小山 真司 群馬大学, 大学院理工学府, 准教授 (70414109)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2016年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2015年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2014年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
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| キーワード | 低温接合 / 電子デバイス / 精密接合 / 固相接合 / 液相拡散接合 / 金属塩生成接合法 / インサート金属 / アルミニウム / チタン / 銅 / ステンレス鋼 / ギ酸 / クエン酸 / 接合 |
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| 研究成果の概要 |
工業プロセスにおいて，電子機器の軽薄短小化にともない低温接合の研究が盛んに進められている．しかしながら接合表面は酸化皮膜で覆われており，低温での接合を妨げている．よって低温・低変形量で高い接合強度を有する接続部を形成するための経済的な方法が求められている．以前の研究で，AlとCuの接合面をギ酸により改質することで，低温で高い接合強度を有する接続部の形成が可能となることを明らかにした．
本研究では，Al合金/純Zn，Ti/純Alの接合面に対する改質効果を検討した．その結果，Zn，Alの金属塩の生成と分解反応により接合中に原子面が露出することで，低温で高い接合強度が得られることを明らかにした．
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