| 研究課題/領域番号 |
26820136
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 筑波大学 (2015)
独立行政法人産業技術総合研究所 (2014) |
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研究代表者 |
岡本 大 筑波大学, 数理物質系, 助教 (50612181)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2015年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2014年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | 炭化珪素 / ＭＯＳＦＥＴ / 界面準位 / ボロン / シリコンカーバイド / MOSFET / チャネル移動度 |
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| 研究成果の概要 |
SiCパワーMOSFETにおいて問題となっている高いチャネル抵抗を改善するためには、高チャネル移動度が得られる新規酸化膜形成技術の確立が必要である。本研究では、SiO2/SiC界面へボロンを導入する新規手法を提案し、この手法によると界面欠陥密度を劇的に低減でき、102 cm2/Vsという高い電界効果移動度が得られることを初めて明らかにした。また、異原子による界面特性改善のメカニズムを検討し、異原子導入による界面歪低減が重要であるという材料選択指針を提示した。
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