低温成長技術によるシリコン(111)上への窒化物系発光素子集積と光MEMS応用

研究課題

研究課題/領域番号	26870108
研究種目	若手研究(B)
配分区分	基金
研究分野	電子・電気材料工学デバイス関連化学
研究機関	東京大学
研究代表者	太田実雄東京大学, 生産技術研究所, 助教 (60392924)
研究期間 (年度)	2014-04-01 – 2016-03-31
研究課題ステータス	完了 (2015年度)
配分額 *注記	3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円) 2015年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円) 2014年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
キーワード	GaN / MEMS / Si / スパッタ
研究成果の概要	本研究では、窒化物系発光素子(LED)とシリコン(Si)系マイクロ電気機械システム(MEMS)を融合するために、Si(111)基板上への窒化物系LEDの低温作製技術の開発を行った。Si基板上へのGaN低温エピタキシャル成長において、AlN層の導入によってGaN/Si界面の反応抑制と、GaN薄膜の極性制御が可能であることを見出した。パターンドSi基板上においてもGaN低温エピタキシャル成長が可能であった。これらの低温プロセスを基に、PSD法を用いてSi基板上にLED構造を作製したところ、明瞭な電流注入発光が観測され、本手法がSi系MEMSとGaN発光素子の集積化に有望であることが明らかになった。

報告書

(3件)