| 研究課題/領域番号 |
26870161
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
ナノ材料工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
藤野 真久 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 助教 (70532274)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2016年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2015年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2014年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
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| キーワード | グラフェン / 転写 / 自己組織化単分子膜 / カーボン材料 |
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| 研究成果の概要 |
本研究ではグラフェンの成長基板からシリコンやガラスなど対象基板への高効率転写を行った。
グラフェンはCu箔上に化学気相蒸着法（CVD）などで合成する手法が一般化されている。しかし、Cu箔上に合成したグラフェンはデバイスとして応用するに当たってチップなどの基板上で固定して使用する必要がある。今回の研究では対象基板上に単分子自己組織化膜(SAM)を配置し、その上にグラフェンを転写することによって高効率かつ高品質のグラフェンの転写に成功した。
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