| 研究課題/領域番号 |
26870261
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
竹内 和歌奈 名古屋大学, 工学研究科, 助教 (90569386)
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| 研究協力者 |
浅野 孝典
池 進一
犬塚 雄貴
鷲津 智也
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2016年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2015年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2014年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | Ⅳ族混晶半導体 / GeSn / 格子欠陥 / 結晶成長 / DLTS / キャリア密度制御 / 欠陥制御 / MBE / MOCVD / 欠陥 / 成長 / イオン注入 / 回復処理 / 欠陥評価 / ゲルマニウムースズ / DLTS測定 / 水素成長 / 水素の効果 / ドーパント不活性化抑制 |
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| 研究成果の概要 |
GeSnデバイス実現に向けて、非ドープで導入される浅い準位の欠陥とデバイス特性劣化を引き起こす深い準位の欠陥を制御する必要がある。本研究では分子線エピタキシー法及び化学気相成長法で成長されたGeSn膜の電気的活性な欠陥の調査と制御を目的とした。GeSn中には価電子帯端近傍の浅い準位の欠陥と深い準位の欠陥の形成が観測された。これらの欠陥はGeへのSnイオン注入の実験との比較からSnが関連する複合欠陥であることが考えられる。深い準位の欠陥密度は成長中に水素を導入することで減少させることが可能であることが分かった。後熱処理によって、さらに深い準位の欠陥を消滅できることがわかった。
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