研究課題
若手研究(B)
太陽電池用高速製膜ナノ結晶シリコン(μc-Si)について、作製条件やデバイス作製後の処理を用い発電性能向上を図った。μc-Siは高投入電力により膜中欠陥の増加要因とされる単寿命反応種(SLS)が多く生成されやすくなる。SiH4のチャンバー内への導入量を調節することにより、電子温度の上昇を抑止すると同時に、プラズマ発光スペクトルから、製膜時の間接的なガス温度上昇の観測を実現した。また膜表面集中する多くの欠陥に対し、バンドプロファイルを意識したa-SiCやa-SiOなどの高品質材料を表面に製膜後、熱アニール処理により、欠陥を三割程度低減することが可能であり実デバイスでの性能向上を実現した。
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Canadian Journal of Physics
巻: 92 号: 7/8 ページ: 582-585
10.1139/cjp-2013-0558