| 研究課題/領域番号 |
26870416
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 愛媛大学 |
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研究代表者 |
垣内 拓大 愛媛大学, 理工学研究科, 講師 (00508757)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2015年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2014年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
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| キーワード | 薄膜 / 表面物性 / 界面物性 / 光電子分光 / コインシデンス分光 / 半導体 / 高誘電体 / MOS-FET / 高誘電体材料 / 局所価電子状態 / Si(110) / シングルドメイン / 超薄膜 / 表面界面 / 表面界面物性 / 酸化ハフニウム / 光電子分光法 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、半導体素子開発の持続的成長のため次世代半導体基板材料として期待されるSi(110)-16×2清浄表面上に高誘電体材料である酸化ハフニウム（HfO2)の超薄膜を作製し、光電子分光法やコインシデンス分光法を用いて埋もれた界面物性を観測・評価した。作製したHf/SiOx/Si(110)とHfO2/SiOx/Si(110)の同じ化学組成比を示すSiOx界面から放出されたオージェ電子スペクトルの異なる構造を観測した。これは、表面Hfの化学状態や表面構造によって界面物性が異なることを示している。本成果より、原子スケールの半導体素子の開発には界面物性の制御も必要であることが示唆された。
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