| 研究課題/領域番号 |
26870574
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
ナノ構造物理
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 慶應義塾大学 |
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研究代表者 |
高橋 綱己 慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 訪問助教 (60724838)
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| 研究協力者 |
内田 建 慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (30446900)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2016年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2015年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2014年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | ナノ電子デバイス / 自己加熱効果 / アナログ特性 / フォノン輸送 / ナノワイヤ / SOI MOSFET / FinFET / フォノン / バリスティック輸送 / 自己加熱 / トランジスタ温度分布 / 界面熱抵抗 / ナノ半導体 / 熱伝導率 |
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| 研究成果の概要 |
ナノスケール半導体電子デバイスにおける，動作時温度分布の測定・解析および温度上昇が性能に与える影響の評価を行った．その結果，熱特性の最適化によって次世代立体構造トランジスタの消費電力を性能を低下させることなく低減できることを示した．また，ナノスケールの電子デバイスでは，従来の熱特性評価手法では温度を正しく見積もれないことをナノワイヤ熱物性の測定から実験的に明らかにした．
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