| 研究課題/領域番号 |
26870717
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
結晶工学
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 龍谷大学 |
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研究代表者 |
松田 時宜 龍谷大学, 革新的材料・プロセス研究センター, 客員研究員 (30389209)
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| 研究協力者 |
木村 睦
古田 守
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2015年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2014年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | 薄膜トランジスタ / プラズマ / 格子欠陥 / 電子スピン共鳴 / RFマグネトロンスパッタリング / ミストCVD / レアメタル / 酸化物半導体 / 電子スピン共鳴(ESR) |
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| 研究成果の概要 |
酸化物薄膜トランジスタ(TFT)の半導体層であるInGaZnO4(IGZO)の格子欠陥を明らかにするため、電子スピン共鳴法(ESR)により調査した。
IGZO粉末にプラズマによって導入される格子欠陥を評価したところ、2種類のESR信号を見出した。これらのESR中心は、信号の熱安定性などの評価から、IGZOの主成分であるGa2O3、In2O3、ZnO中のESR信号とは異なる特性を示すことが明らかになった。これらIGZO中の格子欠陥の形成メカニズムを2種類提案した。
また、ストレス耐性の高い新規レアメタルフリー材料の提案を行い、スパッタリング法、ミストCVD法による薄膜を用いたTFTの形成に成功した。
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