| 研究課題/領域番号 |
26870782
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
ナノ構造物理
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| 研究機関 | 福岡大学 |
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研究代表者 |
柳生 数馬 福岡大学, 工学部, 助教 (90609471)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2015年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2014年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
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| キーワード | グラフェン / SiC / パラジウム / インターカレーション / SiC(0001) / Pd / 走査トンネル顕微鏡 / X線光電子分光 / 角度分解光電子分光 / パラジウム（Pd) / 走査トンネル顕微鏡(STM) |
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| 研究成果の概要 |
SiC(0001)基板上に成長させたゼロ層グラフェンと基板間にパラジウム(Pd)原子をインターカレート(挿入)させてその構造と電子状態を調べた．ゼロ層の上にPd原子を蒸着した後で試料を摂氏700度以上で加熱すると，テラス上でPd原子がインターカレートした．さらにPd原子がインターカレートするとK bar点周りでディラックコーンが新たに現れたことから，Pd原子のインターカレートによってゼロ層が電気的に理想的なグラフェンになったことを確認できた．そしてディラック点の位置はフェルミエネルギーと一致していることから得られたグラフェンは中性である．さらにPd原子と基板間で電荷移動が起きたことが分かった．
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