| 研究課題/領域番号 |
26870815
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
結晶工学
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| 研究機関 | 熊本高等専門学校 |
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研究代表者 |
角田 功 熊本高等専門学校, 情報通信エレクトロニクス工学科, 准教授 (00585200)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2015年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2014年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 結晶成長 / 半導体 / 低温結晶成長 / ゲルマニウム / シリコンゲルマニウム / 非熱エネルギー |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、絶縁基板上への結晶半導体薄膜形成温度の低温化（ターゲット温度：１５０℃）を目指し、絶縁膜上におけるＧｅ結晶の低温形成プロセスを創出した。我々は、盛んに研究されている金属誘起形成プロセスに非熱エネルギー（電子線、応力）を組み合わせたところ、絶縁基板上の非晶質Ｇｅの結晶成長が大幅に促進すること、特に、応力を組み合わせることで１５０℃以下の低温で結晶成長が誘起されるとの手法を開発した。また、絶縁基板上に面方位の揃った結晶Ｇｅの形成にも試み、（１１１)に優先配向した結晶Ｇｅ薄膜を絶縁基板上に形成することに成功した。
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