| 研究課題/領域番号 |
26870910
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 |
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研究代表者 |
原 紳介 国立研究開発法人情報通信研究機構, 未来ICT研究所フロンティア創造総合研究室, 主任研究員 (30434038)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2016年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2015年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2014年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
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| キーワード | 電子デバイス / ヘテロ構造 / 結晶成長 / エピタキシャル成長 |
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| 研究成果の概要 |
次世代の情報通信技術の基盤構築を目的とし、格子定数6.1ÅのIII-V族化合物半導体材料を利用した相補型高電子移動度トランジスタの開発研究を行った。
格子不整合の結晶成長において発生・伝搬し、特性悪化の要因となる積層欠陥の大幅な抑制を実現した。同一基板上でn-、p-型動作可能なデバイス構造をシミュレーションにより検証し、電子・ホール走行層を含む量子井戸構造の成長条件を確立、選択エッチング技術により電気特性を評価した。TLM法によりオーミック電極材料の検討し、簡易デバイスを作製、トランジスタ静特性評価を行った。今後、コンタクト抵抗・リーク電流低減の課題を解決し、相補型回路の試作を展開する。
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