| 研究課題/領域番号 |
26889073
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| 研究種目 |
研究活動スタート支援
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
渥美 裕樹 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 研究員 (30738068)
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| 研究期間 (年度) |
2014-08-29 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2015年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2014年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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| キーワード | シリコンフォトニクス / 偏波ビームスプリッタ / 多層光配線 / 偏波分離素子 / 三次元光集積回路 |
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| 研究成果の概要 |
シリコンフォトニクスを用いた次世代オンチップ光配線において、CMOS後工程で形成可能な水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)をベースとする多層光配線技術が有望視されている。本研究では、多層偏波多重システム及び偏波ダイバーシティシステムに向けた層間偏波ビームスプリッタの開発、及び層間光スイッチへの応用検討を行った。異なる断面寸法を有するシンプルな多層シリコン細線方向性結合器において、広帯域、低挿入損失、低クロストークの層間偏波ビームスプリッタを提案設計した。さらに、構造誤差に対する特性評価を行い、本デバイスは十分実現可能であることを示した。
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