| 研究課題/領域番号 |
26K22487
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| 研究種目 |
挑戦的研究(萌芽)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
中区分21:電気電子工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
宇佐美 茂佳 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (30897947)
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| 研究分担者 |
今西 正幸 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (00795487)
谷川 智之 名城大学, 理工学部, 教授 (90633537)
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| 研究期間 (年度) |
2026-06-26 – 2029-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2026年度)
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| 配分額 *注記 |
6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円)
2028年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2027年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
2026年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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| キーワード | GaNバルク成長 / Naフラックス / 半極性面 / HEMT / 縦型構造 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
本研究では，Naフラックス法を用いて世界初となる高品質かつ大口径な半極性GaN基板を実現する．その基板上に選択再成長技術を利用して縦型GaN-HEMT構造を構築する．半極性面上のデバイスプロセスを確立し，最終的に縦型GaN-HEMTのスイッチング動作実証を目指す．
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