| 研究課題/領域番号 |
26K22736
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| 研究種目 |
挑戦的研究(萌芽)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
中区分30:応用物理工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
今西 正幸 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (00795487)
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| 研究分担者 |
津坂 佳幸 兵庫県立大学, 理学研究科, 准教授 (20270473)
宇佐美 茂佳 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (30897947)
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| 研究期間 (年度) |
2026-06-26 – 2028-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2026年度)
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| 配分額 *注記 |
6,370千円 (直接経費: 4,900千円、間接経費: 1,470千円)
2027年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2026年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
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| キーワード | GaN / Naフラックス法 / 引き上げ / 電気抵抗測定 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
本研究では、Ga-Na融液の電気抵抗モニタリングを利用したGaN結晶の引き上げ成長法を開発し、ネッキングによる無転位GaNインゴットの作製と結晶口径制御の実現を目指す。さらに、無極性・半極性GaN結晶の成長や可視化が困難なワイドバンドギャップ半導体への適用可能性についても検証する。
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