InGaAs/InPヘテロ構造MISFETの光応答に関する基礎研究

• 研究課題/領域番号: 58750001
• 研究種目: 奨励研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 応用物性
• 研究機関: 北海道大学
• 研究代表者: 澤田 孝幸 北海道大学, 工学部, 助手
• 研究期間 (年度): 1983
• 研究課題ステータス: 完了 (1983年度)
• 配分額: 980千円 (直接経費: 980千円); 1983年度: 980千円 (直接経費: 980千円)