高臨界温度Nb_3(Ge, Si)薄膜を用いた高温動作・接合型ジョセフソン素子の作製

• 研究課題/領域番号: 58850057
• 研究種目: 試験研究
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子材料工学
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 山中 俊一 東京工業大学, 工学部, 教授
• 研究期間 (年度): 1983 – 1984
• 研究課題ステータス: 完了 (1984年度)
• 配分額: 5,500千円 (直接経費: 5,500千円); 1984年度: 300千円 (直接経費: 300千円); 1983年度: 5,200千円 (直接経費: 5,200千円)